동서대학교 화장품학과

유진수 학부생이 공동저자로 참여한 논문

Chemistry of Materials 11월호에 추가표지 논문으로 게재

 동서대학교 화장품학과 이정훈 교수팀과 이화여자대학교 화공신소재공학전공 이병훈 교수 연구팀은 하나의 단일층 소자 구조로 고성능의 양극성 FET 소자를 만들 수 있도록 새로운 형태(D-A-A-D)의 반도체 고분자 개발에 성공했다.

이 연구에 유진수 학부생이 공동저자로 참여했다. 공동연구팀은 기존의 D-A 형태의 전도성 고분자를 D-A-A-D 형태로 변형하여 물질을 합성하였고, D(전자주개)로는 cyclopentadithiophene (CDT)을 A(전자받개)로는 pyridalthiadiazole(PT)를 활용하였다.

연구결과 합성된 물질은 전자 수송능력(0.41㎠/Vs)과 전공 수송능력(1.50㎠/Vs)이 같은 값을 나타내는 양극성 수송능력이 매우 뛰어난 것으로 밝혀졌다. 가장 기본적인 논리회로인 인버터(inverter) 구현에서도 평균 증폭(gain)값이 165로 고분자 반도체를 이용해 제작한 인버터의 값보다 매우 높았다.

이 연구는 재료 공학 분야의 저명한 학술지 ‘케미스트리오브머티리얼즈(Chemistry of Materials, 화학공학분야 상위 3% 이내)’ 11월호에 ‘Ambipolar Charge Transport in p-Type Cyclopentadithiophene-Based Polymer Semiconductors Enabled by D–A–A–D Configuration’이란 제목의 추가표지 논문으로 게재됐다.